硅上的多通道三柵極III-氮化物高電子遷移率晶體管
2019-01-30
目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅動電流。
瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）和中國的Enkris半導體公司所制造的材料結構由5個平行層組成，包括10nm氮化鋁鎵（AlGaN）阻擋層，1nm AlN間隔層和10nm GaN溝道（圖1）。其中阻擋層是以5x1018/cm3的部分水平摻雜硅以增強導電性……（技術詳情參見原文：http://mp.ofweek.com/ee/a545673721786 ）。
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