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        SEMI中國宣布成立SEMI中國功率及化合物半導體委員會，并于2015年7月28日在上海舉行了啟動會議。

        SEMI全球副總裁、中國總裁陸郝安博士為會議致歡迎詞并介紹了SEMI中國圍繞促進產業發展所構建的產業合作交流平臺。本次會議通過了“SEMI中國功率與化合物半導體委員會章程”，并推選蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千博士為聯合主席。

        該委員會由來自全球功率及化合物半導體企業包括英飛凌、恩智浦、三安光電、中科院、能訊高能半導體、PlayNitride、晶湛半導體、矽力杰、南車電氣、銀茂微電子、華虹宏力、Tower Jazz、北車永電等企業組成，其中既有全球功率半導體巨頭，亦有從事第二代半導體（如GaAs）、第三代寬禁帶半導體（如GaN、SiC）電力電子器件開發及制造的新興企業。

        張乃千博士分享了GaN射頻器件與電力電子器件特點與優勢，作為重要的核“芯”器件，GaN電力電子器件未來在計算機、移動通訊、物聯網、汽車電子、電力輸送、現代交通等行業將發揮越來越重要的作用，發展潛力巨大。南京銀茂微電子制造有限公司總經理莊偉東博士做了”中國IGBT的技術與市場的發展“主題報告，分享了IGBT行業的最新進展和對未來市場預測。