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關(guān)于晶湛

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。

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900
國內(nèi)外申請近900項(xiàng)專利
ISO 9001認(rèn)證
lSO 9001:2015認(rèn)證
IATF 16949:2016認(rèn)證
2012
2012年投資創(chuàng)建

產(chǎn)品中心

專業(yè) 氮化鎵材料制造商

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電力電子

? GaN-on-Si (100mm,150mm,200mm,300mm)

? D-mode and E-mode

? Breakdown Voltage available from 200V to 1200V

高端光電

? GaN-on-Sapphire (50.8mm,100mm,150mm)

? GaN-on-Si (100mm,150mm,200mm,300mm)

? UVC, Near-UV, Blue, Green & Red

其他定制

新聞媒體

2025-10-21

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手突破12英寸氮化鎵技術(shù)，共同推進(jìn)氮化鎵功率器件發(fā)展蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司與蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合宣布，雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)12英寸氮化鎵技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用。查看詳情 +

2025-09-03

晶湛半導(dǎo)體大尺寸N面GaN材料生長突破晶湛半導(dǎo)體通過“襯底偏角設(shè)計(jì)”與“雜質(zhì)抑制工藝”雙重結(jié)合，首次報(bào)道了6寸N面GaN材料生長結(jié)果，成功實(shí)現(xiàn)N面GaN材料表面粗糙度低至2nm的行業(yè)最優(yōu)水平。查看詳情 +

2025-08-28

晶湛半導(dǎo)體程凱博士出席IPF2025 解碼產(chǎn)業(yè)新生態(tài) “第三屆功率器件制造測試與應(yīng)用大會（IPF 2025）”在江蘇無錫隆重開幕。晶湛半導(dǎo)體總裁程凱博士應(yīng)邀出席圓桌論壇并在功率半導(dǎo)體先進(jìn)材料與晶圓“智”造論壇上做了精彩的演講報(bào)告。查看詳情 +

2025-04-08

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程晶湛半導(dǎo)體在SEMICON CHINA 2025期間發(fā)布了基于ZDP?平臺驗(yàn)證的Full Color GaN?全彩系列第二代外延片，為行業(yè)帶來了破局曙光。查看詳情 +

2023-12-08

晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元C+輪融資近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進(jìn)展。查看詳情 +

2022-12-08

晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元C輪融資第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資查看詳情 +

2022-11-05

晶湛半導(dǎo)體十周年慶典圓滿結(jié)束晶耀十載-敢為未來ADecadeofPerseverancePowerstheFuture 查看詳情 +

2022-11-05

晶湛半導(dǎo)體總部大樓順利封頂晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目封頂儀式在蘇州工業(yè)園區(qū)納米城隆重舉行。查看詳情 +

2022-04-18

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布Full Color GaN?全彩系列LED產(chǎn)品并打破300mm壁壘 2022年4月8日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司今日發(fā)布了其面向微顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的FullColorGaN?全彩系列外延片產(chǎn)品，并將LED外延片尺寸成功拓展至300mm。查看詳情 +

2022-03-03

氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資 (2022年3月1日，蘇州)近日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（“晶湛半導(dǎo)體”）宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。本輪融資由歌爾微電子（歌爾股份002241.SZ控股子公司）領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐查看詳情 +

2021-12-02

晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基 2021年12月2日上午，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目奠基儀式在蘇州工業(yè)園區(qū)納米城正式舉行查看詳情 +

2021-09-23

晶湛半導(dǎo)體成功突破12英寸硅基氮化鎵HEMT外延技術(shù) 2021年9月23日，由蕪湖市人民政府和SEMI中國共同主辦的“化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)論壇”在安徽省蕪湖市成功舉辦查看詳情 +

2021-06-10

10000V！氮化鎵功率器件擊穿電壓新紀(jì)錄美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子技術(shù)中心（CPES）和蘇州晶湛半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)合作攻關(guān)，通過采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片，以及運(yùn)用pGaN降低表面場技術(shù)（p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制備的肖特基勢壘二極管(SBD)，成功實(shí)現(xiàn)了超過10kV的超高擊穿電壓。查看詳情 +

2021-04-21

蘇州晶湛半導(dǎo)體發(fā)布新型多溝道異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片產(chǎn)品，提高電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)化效率 2021年4月21日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司發(fā)布了新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片產(chǎn)品，在保持高電子遷移率的同時(shí)，將載流子濃度提高了4倍以上查看詳情 +

2019-03-25

程凱博士應(yīng)邀參加工業(yè)園區(qū)科信局舉辦的“科技創(chuàng)享匯” 3月25日，由蘇州工業(yè)園區(qū)科技和信息化局主辦的“科技創(chuàng)享匯”如期舉行查看詳情 +

2019-01-30

硅上的多通道三柵極III-氮化物高電子遷移率晶體管目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導(dǎo)體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅(qū)動電流查看詳情 +

2018-11-08

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司參加2018中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會 2018中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會——功率半導(dǎo)體主題研討會于2018年11月8日上午在重慶順利召開。研討會由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，超摩爾研究室主任朱邵歆博士主持查看詳情 +

2017-09-20

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司參加2017 SEMICON Taiwan及相關(guān)寬禁帶論壇 2017SEMICONTaiwan國際半導(dǎo)體展于9/13~9/15在臺北南港展覽館舉辦，本次展會除提供產(chǎn)業(yè)技術(shù)之外，并透過論壇與研討會的舉辦，互相交流，是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一項(xiàng)年度盛事... 查看詳情 +

2016-11-17

【IFWS 2016】揭開寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件產(chǎn)業(yè)化序幕以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料已引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高... 查看詳情 +

2016-01-05

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司榮獲2015年度蘇州市技術(shù)發(fā)明獎一等獎各市、區(qū)人民政府，蘇州工業(yè)園區(qū)、蘇州高新區(qū)、太倉港口管委會；市各委辦局，各直屬單位：為全面貫徹黨的十八大和十八屆三中、四中、五中全會以及習(xí)近平總書記系列重要講話特別是視察江蘇重要講話精神... 查看詳情 +

2015-07-28

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成為SEMI中國功率及化合物半導(dǎo)體委員會成員 SEMI中國宣布成立SEMI中國功率及化合物半導(dǎo)體委員會，并于2015年7月28日在上海舉行了啟動會議。SEMI全球副總裁、中國總裁陸郝安博士為會議致歡迎詞并介紹了SEMI中國圍繞促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展所構(gòu)建的產(chǎn)業(yè)合作交流平臺... 查看詳情 +

2014-07-03

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成功在200毫米硅基上生產(chǎn)出高壓氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)材料中國半導(dǎo)體專家蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司通過利用AIXTRON愛思強(qiáng)反應(yīng)器，成功在200毫米的硅基（硅基氮化鎵）上生產(chǎn)高壓氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）結(jié)構(gòu)材料... 查看詳情 +

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